פרמטרים של אלקטרודת Ruthenium Iridium
|
חומר בסיס |
צלחת טיטניום טוהר גבוה/רשת/צינור Gr1 |
|
ציפוי |
RUO2+IRO2+X |
| פוטנציאל אבולוציה של כלור |
<1.13V |
| שפר את תוחלת החיים |
80H-120H |
| תקני יישום |
HG/T2471-2011 |
| זרם ישים |
<3000A |
| תכולת מתכת יקרה |
8~12g |
| עובי הציפוי | 8-15μm |
פרמטרי אלקטרודת אירידיום טנטלום
| חומר בסיס | צלחת טיטניום טוהר גבוה/רשת/צינור Gr1 |
| ציפוי |
ת.א2O5+IRO2+X |
| פוטנציאל התפתחות החמצן |
>1.45V |
| שפר את תוחלת החיים |
300H-400H |
| תקני יישום |
HG/T 2471-2011 |
| זרם ישים |
15000A |
| תכולת מתכת יקרה |
15-40g |
| עובי הציפוי |
8-15μm |
